以前，人們普遍認(rèn)為由于采用了各種復(fù)雜的認(rèn)證算法、密鑰等來保護(hù)數(shù)據(jù)免受未獲授權(quán)使用，IC卡具有磁卡無法比擬的安全性能。但在上個(gè)世紀(jì)90年代中期，大部分的IC卡處理器都被成功地實(shí)施了反向工程，因此這個(gè)看法有了很大的改變。除了采用更新的設(shè)計(jì)技術(shù)以外，更重要的是在IC卡芯片設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)過程中考慮抗攻擊措施，以保護(hù)重要的數(shù)據(jù)不被非法使用。
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圖1：RFID芯片結(jié)構(gòu)及工作模式
非接觸IC卡(RFID)的出現(xiàn)是智能卡發(fā)展中的重要里程碑：它通過磁耦合或微波的方式來實(shí)現(xiàn)能量與信號的非接觸傳輸，從而有效地解決了接觸式智能卡使用機(jī)械電氣觸點(diǎn)產(chǎn)生的靜電擊穿、機(jī)械磨損、易受污染和潮濕環(huán)境影響等問題，被認(rèn)為是身份識別、公交票據(jù)、物流等方面的重要替代技術(shù)。沒有了裸露的電氣接觸節(jié)點(diǎn)，RFID和接觸式IC卡產(chǎn)品相比，在安全性方面也有一定的提升，但是它沒有改變智能卡使用認(rèn)證算法和密鑰等安全手段的模式，因此并沒有從本質(zhì)上解決安全問題。需要借鑒接觸式智能卡安全設(shè)計(jì)上的成熟經(jīng)驗(yàn)，才能避免重大技術(shù)失誤。
從結(jié)構(gòu)上講，RFID是一個(gè)包含射頻模擬前端(RF AFE)和基帶信號處理兩大部分的單片集成電路(見圖1)?；鶐到y(tǒng)包括控制邏輯(甚至微處理器)和必要的存儲器，AFE部分是RFID的能量與信號接口，提供片上基帶系統(tǒng)工作所需的電源和時(shí)鐘等輔助信號，完成數(shù)據(jù)的接收與發(fā)送功能。由于RF AFE屏蔽了智能卡片上的電源、時(shí)鐘、上電復(fù)位(POR)等信號與外界的聯(lián)系，在一定程度上減少了攻擊實(shí)施的點(diǎn)，與接觸式智能卡相比在安全性方面有一定的提升。
智能卡芯片攻擊技術(shù)及應(yīng)對措施
根據(jù)是否破壞智能卡芯片的物理封裝可以將智能卡的攻擊技術(shù)分為兩大類：破壞性攻擊和非破壞性攻擊。
破壞性攻擊和芯片反向工程在最初的步驟上是一致的：使用發(fā)煙硝酸去除包裹裸片的環(huán)氧樹脂；用丙酮/去離子水/異丙醇完成清洗；氫氟酸超聲浴進(jìn)一步去除芯片的各層金屬。在去除芯片封裝之后，通過金絲鍵合恢復(fù)芯片功能焊盤與外界的電氣連接，最后可以使用手動(dòng)微探針獲取感興趣的信號。對于深亞微米以下的CMOS產(chǎn)品，通常具有3層以上的金屬連線，為了解芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，可能要逐層去除以獲得重構(gòu)芯片版圖設(shè)計(jì)所需的信息。在了解內(nèi)部信號走線的基礎(chǔ)上，聚焦離子束(FIB)修補(bǔ)技術(shù)甚至可用于將感興趣的信號連到芯片的表面供進(jìn)一步觀察。
非破壞性攻擊主要針對具有微處理器的產(chǎn)品，其手段主要包括軟件攻擊、竊聽技術(shù)和故障產(chǎn)生技術(shù)。軟件攻擊使用微處理器的通用通訊接口，尋求安全協(xié)議、加密算法以及他們物理實(shí)現(xiàn)的弱點(diǎn)；竊聽技術(shù)采用高時(shí)域精度的方法，分析電源接口在微處理器正常工作過程中產(chǎn)生的各種電磁輻射的模擬特征；故障產(chǎn)生技術(shù)通過產(chǎn)生異常的應(yīng)用環(huán)境條件，使處理器產(chǎn)生故障，從而獲得額外的訪問途徑。
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圖2：NAND門驅(qū)動(dòng)一個(gè)反向器的光學(xué)照片(包含金屬層和去掉金屬層)。
智能卡的攻擊一般從破壞性的反向工程開始，其結(jié)論可以用于開發(fā)廉價(jià)和快速的非破壞性攻擊手段，這是最常見的最有效的智能卡攻擊模式之一。
1. 破壞性攻擊及其防范
a. 版圖重構(gòu)
破壞性攻擊的一個(gè)重要步驟是重構(gòu)目標(biāo)芯片的版圖。通過研究連接模式和跟蹤金屬連線穿越可見模塊(如ROM、RAM、EEPROM、ALU、指令譯碼器等)的邊界，可以迅速識別芯片上的一些基本結(jié)構(gòu)，如數(shù)據(jù)線和地址線。
芯片表面的照片只能完整顯示頂層金屬的連線，而它是不透明的。借助于高性能的成像系統(tǒng)，可以從頂部的高低不平中識別出較低層的信息，但是對于提供氧化層平坦化的CMOS工藝，則需要逐層去除金屬才能進(jìn)一步了解其下的各種結(jié)構(gòu)。因此，提供氧化層平坦化的CMOS工藝更適合于包括RFID在內(nèi)的智能卡加工。
圖2是一個(gè)NAND門驅(qū)動(dòng)一個(gè)反向器的光學(xué)版圖照片，類似于該圖的不同層照片對于有經(jīng)驗(yàn)的人無異于電路圖。
對于RFID設(shè)計(jì)來說，射頻模擬前端需要采用全定制方式實(shí)現(xiàn)，但是常采用HDL語言描述來實(shí)現(xiàn)包括認(rèn)證算法在內(nèi)的復(fù)雜控制邏輯，顯然這種采用標(biāo)準(zhǔn)單元庫綜合的實(shí)現(xiàn)方法會加速設(shè)計(jì)過程，但是也給反向工程為基礎(chǔ)的破壞性攻擊提供了極大的便利，這種以標(biāo)準(zhǔn)單元庫為基礎(chǔ)的設(shè)計(jì)可以使用計(jì)算機(jī)自動(dòng)實(shí)現(xiàn)版圖重構(gòu)。因此，采用全定制的方法實(shí)現(xiàn)RFID的芯片版圖會在一定程度上加大版圖重構(gòu)的難度。
版圖重構(gòu)的技術(shù)也可用于獲得只讀型ROM的內(nèi)容。ROM的位模式存儲在擴(kuò)散層，用氫氟酸(HF)去除芯片各覆蓋層后，根據(jù)擴(kuò)散層的邊緣就很容易辨認(rèn)出ROM的內(nèi)容(圖3)。
基于微處理器的RFID設(shè)計(jì)中，ROM中可能不包含任何加密的密鑰信息，但是它的確包含足夠的I/O、存取控制、加密程序等信息，這些在非破壞性攻擊中尤為重要。因此，對于使用微處理器的RFID設(shè)計(jì)，推薦優(yōu)先使用FLASH或EEPROM等非易失性存儲器存放程序。
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圖3：去除金屬和POLY連線的NOR型ROM照片。
b. 存儲器讀出技術(shù)
對于存放密鑰、用戶數(shù)據(jù)等重要內(nèi)容的非易失性存儲器，它們不能通過簡單的光學(xué)照片獲得其中的信息。在安全認(rèn)證過程中，至少訪問這些數(shù)據(jù)區(qū)一次，因此，可以使用微探針監(jiān)聽總線上的信號獲取重要數(shù)據(jù)。對于良好的設(shè)計(jì)，簡單重復(fù)認(rèn)證還不足以訪問存儲器所有的關(guān)鍵位置。例如，在同一個(gè)卡中使用不同的加密密鑰和加密算法，然后在它們之間每隔幾周就切換一次，芯片的算法和密鑰的存放區(qū)域在沒有被廣播呼叫激活以前不能被處理器控制等等，從而使早期的被動(dòng)監(jiān)測總線難以發(fā)現(xiàn)這些秘密。這些接觸智能卡IC的經(jīng)驗(yàn)可以應(yīng)用于RFID設(shè)計(jì)中。
一些文獻(xiàn)提到，為了保證存儲器數(shù)據(jù)的完整性，需要在每次芯片復(fù)位之后計(jì)算并檢驗(yàn)一下存儲器的校驗(yàn)結(jié)果，其實(shí)這種做法給攻擊提供了快速訪問全部存儲器的手段。
在使用帶微處理器的RFID中，還需要考慮軟件設(shè)計(jì)人員為提高代碼效率濫用CPU部件(如地址計(jì)數(shù)器)的行為所導(dǎo)致的安全問題。程序計(jì)數(shù)器在每個(gè)指令周期都自動(dòng)增量，如果被用于存儲器讀寫的地址發(fā)生器，攻擊中只需防止處理器執(zhí)行JUMP、CALL和RETURN等指令擾亂正常的讀順序即可。即稍微用激光切斷一些電路連接，改動(dòng)指令譯碼器、程序計(jì)數(shù)器電路即可實(shí)現(xiàn)完全訪問存儲器的目的。
頂層探測器網(wǎng)格是有效防止微探針獲取存儲器數(shù)據(jù)的重要手段之一，充分利用深亞微米CMOS技術(shù)提供的多層金屬，在重要的信號線頂層構(gòu)成探測器網(wǎng)格能夠連續(xù)監(jiān)測短路和斷路。當(dāng)有電時(shí)，它能防止激光切割或選擇性的蝕刻去獲取總線的內(nèi)容。根據(jù)探測器輸出，芯片可立即觸發(fā)電路將非易失性存儲器中的內(nèi)容全部清零。這些網(wǎng)格對于其下的各層金屬連線重構(gòu)也有影響，因?yàn)槲g刻不是均勻的，上層金屬的模式在下層可見，會給版圖的自動(dòng)重構(gòu)帶來很多麻煩。手動(dòng)探針的目標(biāo)尺寸一般在1微米左右，尖端小于0.1微米的探針臺價(jià)格在幾十萬美元之上，且極難獲得。一個(gè)精心設(shè)計(jì)的網(wǎng)格將使手動(dòng)微探針攻擊難以實(shí)施，一般的FIB修補(bǔ)技術(shù)也難以逾越。
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?圖4：RFID的接觸法測試原理
非破壞性攻擊及其防范
非破壞性攻擊主要針對具有微處理器的產(chǎn)品而言。微處理器本質(zhì)上是成百上千個(gè)觸發(fā)器、寄存器、鎖存器和SRAM單元的集合，這些器件定義了處理器的當(dāng)前狀態(tài)，結(jié)合組合邏輯則可知道下一時(shí)鐘的狀態(tài)。許多類似系統(tǒng)的模擬效應(yīng)可用于非侵入式的攻擊，其中：
1. 每個(gè)晶體管和連線都具有電阻和電容特性，其溫度、電壓等特性決定了信號的傳輸延時(shí)。由于生產(chǎn)工藝參數(shù)的分散性，這些數(shù)值在單個(gè)芯片，或同種產(chǎn)品的不同芯片上差異很大。
2. 觸發(fā)器在很短的時(shí)間間隔內(nèi)采樣并和閾值電壓比較(與電源相關(guān))。采樣的時(shí)間間隔相對于時(shí)鐘邊沿是固定的，但不同的觸發(fā)器之間可能差異很大。
3. 觸發(fā)器僅在組合邏輯穩(wěn)定后的前一狀態(tài)上建立新的穩(wěn)態(tài)。
4. 在CMOS門的每次翻轉(zhuǎn)變化過程中，P和N管都會開啟一個(gè)短暫的時(shí)間，從而在電源上造成一次短路。沒有翻轉(zhuǎn)的時(shí)刻，則電源電流很小。
5. 當(dāng)輸出改變時(shí)，電源電流會根據(jù)負(fù)載電容充放電變化。
和接觸式IC卡不同的是，攻擊RFID的黑客不能完全控制其電源和時(shí)鐘線，理論上RFID針對非破壞性攻擊的安全性能有所改善，但是實(shí)際情形可能并非如此，仍會面臨一些危險(xiǎn)。常見的攻擊手段有電流分析攻擊和故障攻擊。
1. 電流分析攻擊
根據(jù)電流分析攻擊實(shí)施的特點(diǎn)，可分為簡單電源攻擊(SPA)和差分電源攻擊。
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圖5： 兩種不同的測試態(tài)控制方式
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原則上，RFID的電源是集成在AFE的內(nèi)部，似乎遠(yuǎn)離了電流分析的危險(xiǎn)，然而實(shí)際上并非如此。圖4顯示了RFID接觸法測試的原理圖：通過在RFID天線和串聯(lián)的分壓電阻兩端直接加載符合規(guī)格的交流信號，RFID負(fù)載反饋信號可以百倍于無線模式下的信號強(qiáng)度直接疊加在加載的交流信號上。由于芯片的功耗變化與負(fù)載調(diào)制在本質(zhì)上是相同的，因此，如果AFE的電源設(shè)計(jì)不恰當(dāng)，RFID微處理執(zhí)行不同內(nèi)部處理的狀態(tài)可能在串聯(lián)電阻的兩端交流信號上反映出來。
對于RFID而言，功耗是芯片設(shè)計(jì)過程中關(guān)心的重要問題，串聯(lián)方案的效率更高，更適合集成電路設(shè)計(jì)。但是就安全而言，并聯(lián)方案是更理想的選擇：通過并聯(lián)泄放電路將電源幅度和紋波的變化控制在盡可能小的范圍內(nèi)，使電源電流消耗波動(dòng)抑制在整流電路之后。這樣天線兩端的交流信號不能反應(yīng)任何內(nèi)部基帶系統(tǒng)(主要是微處理器)狀態(tài)的差異。
2. 故障攻擊
通過故障攻擊可以導(dǎo)致一個(gè)或多個(gè)觸發(fā)器位于病態(tài)，從而破壞傳輸?shù)郊拇嫫骱痛鎯ζ髦械臄?shù)據(jù)。在所知的CPU智能卡非破壞性攻擊中，故障攻擊是實(shí)際應(yīng)用中最有效的技術(shù)之一。當(dāng)前有三種技術(shù)可以可靠地導(dǎo)致觸發(fā)器病態(tài)且影響很少的機(jī)器周期：瞬態(tài)時(shí)鐘、瞬態(tài)電源以及瞬態(tài)外部電場。
通過簡單地增加或降低時(shí)鐘頻率一個(gè)或多個(gè)半周期可以實(shí)施時(shí)鐘故障，這樣部分觸發(fā)器會在合法的新狀態(tài)到來之前采樣它們的輸入。時(shí)鐘故障有效的攻擊通常和電源故障結(jié)合在一起，在接觸式智能卡中通過組合時(shí)鐘和電源波動(dòng)，已經(jīng)可以很可靠地增加程序計(jì)數(shù)器內(nèi)容而不影響處理器的其它狀態(tài)。這樣，智能卡內(nèi)的任意指令序列都可以被黑客執(zhí)行，而程序員在軟件編寫中并沒有什么很好的應(yīng)對措施。
大多數(shù)RFID的時(shí)鐘、電源都是使用天線的交流信號整形得到的，因此通過改變交流信號諧波的幅度、對稱性、頻率等參數(shù)可以實(shí)施時(shí)鐘-電源故障攻擊。借助于RFID接觸測試設(shè)備中的數(shù)字直接合成交流信號技術(shù)，很容易產(chǎn)生時(shí)鐘-電源故障攻擊所需的波形。
RFID產(chǎn)品為了有效抵御時(shí)鐘故障攻擊，除了采用時(shí)鐘探測器以外，更重要的是嚴(yán)格限制RFID設(shè)計(jì)的工作頻率范圍、載頻的諧波品質(zhì)因素、對稱性等指標(biāo)。因此，從安全角度來說，并非RFID對機(jī)具適應(yīng)能力越強(qiáng)越好。
潛在的故障技術(shù)仍需進(jìn)一步探索，如通過將金屬探針置于處理器幾百個(gè)微米高度的時(shí)候，在幾個(gè)毫秒內(nèi)施加幾百伏的電壓，得到的電場強(qiáng)度足夠改變附近的晶體管閾值電壓。這些技術(shù)的應(yīng)用價(jià)值和應(yīng)對措施還有待進(jìn)一步的研究。
RFID的測試態(tài)及保護(hù)
對于一般意義的集成電路產(chǎn)業(yè)鏈條來說，需要將不良的芯片在晶圓測試階段剔除以減少后端加工工序中不必要的浪費(fèi)，RFID芯片也不例外。根據(jù)RFID芯片的特點(diǎn)，晶圓測試內(nèi)容包括：RF性能測試、邏輯功能測試和存儲器測試。和普通芯片一樣，如果借助于芯片應(yīng)用功能來進(jìn)行片上邏輯和存儲器測試，則測試成本將大幅增加。通常采取等效測試原理設(shè)計(jì)額外的測試態(tài)來快速完成。由于測試態(tài)提供了快速、全面訪問存儲器的機(jī)制，因此有必要在晶圓測試完成后，將測試態(tài)永久關(guān)閉。
圖5a是在接觸式智能卡芯片的發(fā)展過程中曾大量采用的測試態(tài)控制方式：使用額外的I/O管腳和芯片內(nèi)部電路相連，該連線通過劃片槽，這樣芯片劃斷后就不能通過簡單控制該管腳進(jìn)入測試態(tài)。由于FIB修補(bǔ)技術(shù)的出現(xiàn)，這個(gè)手段已經(jīng)過時(shí)。圖5b是最有潛力的替代方案：在劃片槽和鄰近的芯片中設(shè)計(jì)部分控制電路，從而得到不可逆的測試態(tài)控制手段。
本文總結(jié)
本文對RFID芯片設(shè)計(jì)安全從破壞性、非破壞性攻擊以及測試態(tài)控制三個(gè)方面作了簡單探討，通過與接觸式智能卡芯片安全設(shè)計(jì)比較，給出一些應(yīng)對的設(shè)計(jì)措施。然而仍然有很多安全設(shè)計(jì)措施不能一一列舉，如用于對付功率分析的電流調(diào)節(jié)器和噪聲負(fù)載。我國第二代居民身份證即將實(shí)施，這將是世界上最大的RFID項(xiàng)目，考慮其芯片設(shè)計(jì)安全問題具有重要的現(xiàn)實(shí)意義。
作者：盧小冬
項(xiàng)目主管
Email: luxd@dmt.com.cn
大唐微電子公司智能卡IC設(shè)計(jì)部
周東平
高級工程師
Email: zhou_dp@fri.com.cn
公安部第一研究所
