引 言
    射頻識(shí)別(RFID)技術(shù)近年來(lái)發(fā)展迅速，并獲得了廣泛應(yīng)用。但作為一種無(wú)線射頻技術(shù)，其電磁兼容(EMC)性能也越來(lái)越受到人們的關(guān)注。RFID涉及的頻率范圍甚廣，包括低于135kHz、13.56MHz、433MHz、860－960MHz、2.45GHz、5.8GHz等多個(gè)頻段。本文僅就低于135kHz和13.56MHz兩個(gè)頻段的電感耦合非接觸RFID卡的電磁干擾(EMI)問(wèn)題結(jié)合相關(guān)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行介紹和剖析問(wèn)答。 
 
    1 電子產(chǎn)品的電磁兼容性
    Q1-1、什么叫電磁兼容性？
    電子產(chǎn)品的電磁兼容性EMC包含兩個(gè)方面：一是電磁干擾EMI，另一是抗電磁干擾能力EMS。EMI是指電子產(chǎn)品產(chǎn)生的任何可能降低其它裝置、設(shè)備、系統(tǒng)的性能，或可能對(duì)生物、物質(zhì)產(chǎn)生不良影響的電磁效應(yīng)。EMS是指電子產(chǎn)品在某種電磁環(huán)境下，其性能不致造成惡化的抵御能力。
 
    Q1-2、對(duì)電子產(chǎn)品EMI有限制嗎？
     電子產(chǎn)品EMI有嚴(yán)格限制，體現(xiàn)在很多國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)和相關(guān)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)中。制定這些標(biāo)準(zhǔn)的代表性機(jī)構(gòu)和組織有：國(guó)際無(wú)線電干擾特別委員會(huì)CISPR、國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)化組織ISO、國(guó)際電工委員會(huì)IEC、美國(guó)聯(lián)邦通信委員會(huì)FCC、歐洲電信標(biāo)準(zhǔn)研究所EISI等。一個(gè)電子產(chǎn)品必須符合相關(guān)的EMI標(biāo)準(zhǔn)，否則不能在該地區(qū)或國(guó)家的市場(chǎng)銷售和使用。
 
    2 工作頻率范圍和標(biāo)準(zhǔn)
    Q2-1電感耦合非接觸式IC卡的工作頻率范圍和標(biāo)準(zhǔn)是什么？
    通常，電感耦合非接觸式IC卡的工作頻率為低于135kHz和13.56MHz。
    （1）135kHz的頻率主要適用于較低成本的應(yīng)答標(biāo)簽芯片。系統(tǒng)的讀寫器可以提供較高功率，該頻段對(duì)于非金屬材料和水具有較高的穿透深度，因此在生物識(shí)別、水表等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。由于其載波頻率較低，雖然應(yīng)答器的功耗也較低，但數(shù)據(jù)傳輸速率不高。目前，ISO/IEC18000-2給出了這類系統(tǒng)的空中接口標(biāo)準(zhǔn)。
    （2）在13.56MHz的非接觸式IC卡又可分為近耦合IC卡(PICC)和疏耦合卡(VICC)。其讀寫器亦被稱之為PCD和VCD。
    13.56MHz是世界范圍的工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療頻段(ISM)。在此頻段工作的RFID由于載波頻率較高，在應(yīng)答器中可以采用微處理器，因而可以實(shí)現(xiàn)智能非接觸IC卡功能。此外，在此載波頻率下，應(yīng)答器的天線回路可以實(shí)現(xiàn)片上電容和印刷電感的諧振電路，為其應(yīng)用獲得了很大的便利。
    13.56MHz射頻識(shí)別主要的標(biāo)準(zhǔn)有：①ISO/IEC 14443，是近耦合IC卡系統(tǒng)的標(biāo)準(zhǔn)，它又分為TYPE A和TYPE B兩種；②ISO/IEC 15693，是疏耦合IC卡系統(tǒng)的標(biāo)準(zhǔn)；③ISO/IEC18000-3標(biāo)準(zhǔn)，它有兩種模式，即MODE 1和MODE 2，MODE 1和ISO/IEC 15693標(biāo)準(zhǔn)兼容，MODE 2給出了相位抖動(dòng)調(diào)制(PJM)等新方法。
 
    3 非接觸IC卡的EMI標(biāo)準(zhǔn)
    Q3-1、低于135kHz的非接觸IC卡的EMI標(biāo)準(zhǔn)是多少？
    在低于135kHz的非接觸IC卡中，采用125kHz的芯片較多。其讀寫器電路的功放為B類或D類電路，采用具有電感回路的天線發(fā)送器，屬于小功率和微功率發(fā)射。對(duì)于在此頻率范圍的射頻識(shí)別系統(tǒng)，有下述規(guī)范：
    允許最大場(chǎng)強(qiáng)：
    （1）FCC標(biāo)準(zhǔn)
    FCC標(biāo)準(zhǔn)第15部分209節(jié)(FCC part15.209)規(guī)定了其載波的允許場(chǎng)強(qiáng)，是以最大電場(chǎng)強(qiáng)度E給出的,即E不大于(2400/f)?V/m@300m。其中：f為9~490kHz，@300m 表示距離為300m。因此，對(duì)于125kHz頻率，其E應(yīng)不大于19.2μV/m@300m。如果將其換算為dBμV，則E=19.2mV/m為E=20log(19.2/1)=25.66dBμV/m。
    （2）其它標(biāo)準(zhǔn)
    在另外一些標(biāo)準(zhǔn)中，允許最大場(chǎng)強(qiáng)是以H場(chǎng)給出的。例如EN300330和德國(guó)的標(biāo)準(zhǔn)17TR2100。E場(chǎng)和H場(chǎng)表示值可以用下式來(lái)相互推算，即：H[dBμA/m ]=E[dBμV/m]-51.5dB。在17TR2100中，規(guī)定的極限值為H= 13.5dBμA/m@30m。將此值按上式轉(zhuǎn)換,可以得到E=65 dBμV/m@30m。
    如果我們將FCC標(biāo)準(zhǔn)的300m距離換算為30m，按40dB/十倍距離(自由場(chǎng)的衰減值)增加，則25.66dBμV/m@300m可表示為65.66dBμV/m@30m。從上面的推算看，兩種標(biāo)準(zhǔn)的極限值是差不多的。如果將此表示為10m處的場(chǎng)值，則可得到約為40log(30/10)+13.5=32.5 dBμA/m。
 
    Q3-2、什么是調(diào)制頻帶寬度和寄生發(fā)射？
    在非接觸IC卡系統(tǒng)的數(shù)據(jù)通信過(guò)程中，由應(yīng)答器向讀寫器的通信采用負(fù)載調(diào)制。讀寫器向應(yīng)答器的通信常采用間隙振幅移位鍵控(ASK)調(diào)制。這些都需用一定的調(diào)制頻帶寬度。
    寄生發(fā)射指的是對(duì)載波頻率或調(diào)制邊帶不做出貢獻(xiàn)的發(fā)射。在非接觸IC卡系統(tǒng)中，讀寫器功放和調(diào)制電路是產(chǎn)生諧波和其它頻譜的主要部分。非接觸式IC卡系統(tǒng)在調(diào)制頻帶的場(chǎng)強(qiáng)以及寄生發(fā)射都不能超出EMI有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的允許極限值。
 
    Q3-3、13.56MHz的EMI標(biāo)準(zhǔn)是什么？
    允許最大場(chǎng)強(qiáng)
    （1）非接觸IC卡標(biāo)準(zhǔn)
    在13.56MHz ISO/IEC 14443標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定其PCD產(chǎn)生的場(chǎng)強(qiáng)在1.5A/m_7.5A/m之間。其應(yīng)答器(PICC)的動(dòng)作場(chǎng)強(qiáng)Hmin1.5A/m。在ISO/IEC 15693標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定為VCD產(chǎn)生的場(chǎng)強(qiáng)為115mA/m~7.5A/m,應(yīng)答器(VICC)的動(dòng)作場(chǎng)強(qiáng)Hmin1.5m A/m。 
    （2）有關(guān)EMI標(biāo)準(zhǔn)
     ①FCC標(biāo)準(zhǔn)
     FCC part 15.225規(guī)定RFID系統(tǒng)載波頻率范圍為13.56MHz±7kHz，載波場(chǎng)強(qiáng)為30m處10mV/m。
    ②EN300330(9kHz~25MHz)標(biāo)準(zhǔn)
    EN300330標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了第一類發(fā)送器(指具有電感回路天線的發(fā)送器，天線由具有一個(gè)或幾個(gè)線圈的繞組構(gòu)成)的載波功率極限值。測(cè)量在H場(chǎng)具有最大值的方向和在自由空間進(jìn)行。EN300330規(guī)定的極限值是42dBμA/m@10m。        Q3-    4、幾種標(biāo)準(zhǔn)的相互比較有哪些不同？
    我們對(duì)上面給出的幾種標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行一些變換并歸一，然后再加以比較。
    ①ISO/IEC 14443標(biāo)準(zhǔn) 
    通常，近耦合IC卡系統(tǒng)的作用距離為小于10cm，而從前述可知此時(shí)Hmin1.5A/m，那么我們可以近似估計(jì)離天線0.1m(10cm)處的H場(chǎng)值為1.5A/m。一般，在非接觸IC卡系統(tǒng)中，在距離λ/2π(對(duì)于13.56MHz頻率，λ/2π=3.5m)內(nèi)為近場(chǎng)，其衰減為60dB/十倍距離；大于λ/2π的作用距離為遠(yuǎn)場(chǎng)，其衰減為20dB/十倍距離。因此，可估算出1m處的H場(chǎng)為1.5m A/m，而3.5m處H場(chǎng)較1米處H場(chǎng)的衰減值大約為60 log (3.5m/1m)=32dB。從3.5m至10m處，可以認(rèn)為進(jìn)入遠(yuǎn)場(chǎng)，此段衰減值為20log(10m/3.5m)=9dB。故10m處的dBμA值為20log1.5mA/m-32-9=22dBμA/m。
    ②ISO/IEC 15693標(biāo)準(zhǔn)
    其作用距離約為50cm，設(shè)此時(shí)的Hmin= 115m A/m，對(duì)13.56MHz，近場(chǎng)范圍為3.5m，則3.5m處的場(chǎng)強(qiáng)衰減為60log(3.5m/0.5m)=50.7dBmA。3.5m至10m為遠(yuǎn)場(chǎng)，衰減為20log (10m/3.5m)=9dBμA。因此10米處的dBμA值為：20log115mA/m-50.7dBuA-9dB?A=41dB?A
 
     ③FCC標(biāo)準(zhǔn)
    30m為10m V/m，換算為dB值是80dB?V/m，再換算至10m，增加量為40log(30m/10m)=19dB。換算成dB?A/m為：H=80+19-51=48dBμA/m@10m。
    將上面結(jié)果列于表1，則從表1可知，若H場(chǎng)是按RFID標(biāo)準(zhǔn)來(lái)設(shè)計(jì)，就可符合EMI的有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。

    表1 各種標(biāo)準(zhǔn)的比較

 
     Q3-5、調(diào)制帶寬及諧波發(fā)射方式要注意哪些？
    ①ISO/IEC 14443的調(diào)制方式
    在TYPE A中，PCD向PICC通信采用修正密勒碼的100%ASK調(diào)制。其PICC向PCD通信采用的是曼徹斯特編碼，并且用副載波調(diào)制后進(jìn)行ASK調(diào)制。在TYPE B中，PCD向PICC通信采用NRZ碼的ASK調(diào)制方式，PICC向PCD通信采用對(duì)NRZ碼(106kbps)進(jìn)行BPSK副載波調(diào)制(847kHz)，然后用ASK調(diào)制傳送至PCD。
     ②ISO/IEC 15693
     VCD向VICC通信時(shí)，遠(yuǎn)距離采用“256中取1”編碼的10%的ASK。短距離時(shí)采用“4中取1”編碼的100%ASK調(diào)制。VICC向VCD通信采用曼徹斯特編碼，用副載波進(jìn)行調(diào)制(可用ASK或移頻鍵控FSK方式)，然后再用已調(diào)制副載波進(jìn)行對(duì)載波的ASK調(diào)制。
    從上述的通信模式可以看出，這些調(diào)制都需要調(diào)制帶寬，因此要注意控制發(fā)射頻譜。FCC規(guī)定諧波功率應(yīng)限制比載波低50dB。
    4 抑制EMI的措施
    Q4-1 可以從哪些方面采取抑制EMI的措施？ 
    （1）讀寫器射頻前端電路設(shè)計(jì)
    在讀寫器射頻電路設(shè)計(jì)時(shí)，應(yīng)考慮器件選型、PCB層數(shù)、大小、線路布局、布線、接地及地線配置、屏蔽、濾波等眾多需要兼顧的問(wèn)題。
    例如，在讀寫器設(shè)計(jì)時(shí)，都需要有晶體振蕩器，多數(shù)石英晶體振蕩器(XO)并沒(méi)有提供內(nèi)在的EMI抑制措施，因此設(shè)計(jì)者采用屏蔽、濾波或特殊的印刷板布局技術(shù)來(lái)使產(chǎn)品通過(guò)EMI考核。但是，MAXIM公司的DS108X系列硅振蕩器采用擴(kuò)譜技術(shù)，可使其峰值EMI降低20dB以上，這為頻率源的選擇提供了新的思路。
    （2）在電感耦合式非接觸IC卡系統(tǒng)的電路設(shè)計(jì)和調(diào)整中應(yīng)注意下述方面：
    ①天線回路參數(shù)應(yīng)準(zhǔn)確調(diào)諧在載波頻率上。
    ②對(duì)于末級(jí)功放采用D類放大器(低于135kHz)或E類放大器(13.56MHz)的系統(tǒng)，應(yīng)仔細(xì)調(diào)整電路工作狀態(tài)，減少寄生信號(hào)的產(chǎn)生。此時(shí)，天線回路的Q值對(duì)流過(guò)線圈的電流大小可起調(diào)節(jié)作用，應(yīng)仔細(xì)調(diào)整其電流大小和通信帶寬的關(guān)系。
    （3）新調(diào)制方式的選擇
    在ISO/IEC 14443、ISO/IEC 19653及低于135kHz的非接觸IC卡系統(tǒng)中，讀寫器向應(yīng)答器的數(shù)據(jù)傳輸都采用ASK載波調(diào)制模式，但實(shí)際上移相鍵控PSK調(diào)制在誤碼率、信號(hào)平均功率方面都具有比ASK更好的性能。在前述標(biāo)準(zhǔn)中未被采用，主要是PSK的解調(diào)只能用比較復(fù)雜的相干解調(diào)技術(shù)，而不能用簡(jiǎn)單包絡(luò)檢波方法，而相干解調(diào)電路相對(duì)比較復(fù)雜。
    ISO/IEC 18000-3標(biāo)準(zhǔn)中的MODE 2在13.56MHz系統(tǒng)中提出了相位抖動(dòng)調(diào)制(PJM)方法。在讀寫器向應(yīng)答器的通信中，利用修正頻率編碼(MEM)對(duì)載波進(jìn)行PJM調(diào)制。通常PSK的二進(jìn)調(diào)制的兩個(gè)相角是0度和180度，在編碼變化時(shí)出現(xiàn)了載波相位的躍變。相位的較大躍變使頻譜展寬，使功率譜的旁瓣較大，衰減較慢。PJM的兩個(gè)相位角定義在2度的范圍。
     因此相位的變化，即抖動(dòng)減小使信號(hào)譜旁瓣較小，且衰減較快。此外，PJM的另一個(gè)好處是在讀寫器向應(yīng)答器通信中，不會(huì)像ASK調(diào)制因有停頓而使能量場(chǎng)出現(xiàn)間隙，并且可以支持全雙工通信。因此，新的調(diào)制方式的研究和實(shí)施，也會(huì)給電感耦合的非接觸IC卡的EMI獲得很大改善。
 
     結(jié) 語(yǔ)
    本文對(duì)電感耦合式非接觸IC卡系統(tǒng)的EMI問(wèn)題作了闡述，應(yīng)該注意，它的EMS能力顯然是很弱的，受篇幅所限，沒(méi)有給予更多的闡述。鑒于我國(guó)的RFID標(biāo)準(zhǔn)尚未正式頒布，因此本文并未涉及。